PRAM - công nghệ thay thế bộ nhớ flash

PRAM. Ảnh: BetaNews.

Công nghệ PRAM đã xuất hiện từ năm 1968 nhưng suốt 4 thập kỷ qua, các nhà khoa học không thể cân bằng được những chất liệu hóa học đảm bảo nó hoạt động đúng như trên giấy tờ. Tuy nhiên, Samsung hôm qua tuyên bố đã hoàn thiện mẫu chip nhớ đầu tiên.

Theo Samsung, PRAM đạt tốc độ xử lý nhanh gấp 30 lần và vòng đời dài hơn 10 lần so với thẻ nhớ flash. "Chip đầu tiên sẽ có mặt trên thị trường vào năm 2008 và sẽ cạnh tranh trực tiếp đối với NOR flash", hãng điện tử Hàn Quốc khẳng định.

Giới chuyên môn cho biết PRAM có triển vọng thay thế toàn bộ thị trường flash. Tuy nhiên, Samsung chỉ nhắc đến công nghệ NOR, đơn giản vì họ nắm trong tay tới 46,2% thị trường NAND flash. Trong khi đó, theo hãng nghiên cứu iSuppli (Mỹ), Samsung hiện chỉ đứng thứ 4 trong lĩnh vực NOR flash với 6,4%.

NAND flash 32 Gb. Ảnh: AP.

Cũng trong hôm qua, Samsung đã công bố chip NAND flash 32 gigabit - sản phẩm đầu tiên được sản xuất theo công nghệ 40 nm.

Những chip này có thể được dùng để xây dựng thẻ nhớ 64 GB, tức lưu 40 phim DVD hoặc 16.000 bản nhạc MP3 (trong khi đa số thẻ nhớ hiện nay có dung lượng 1 GB - 4 GB). Chip của Samsung được trang bị công nghệ CTF (Charge Trap Flash), cho phép thu nhỏ các yếu tố mạch và tiết kiệm chi phí sản xuất.

Năm ngoái, Samsung đã cho ra mắt thiết bị NAND flash 16 gigabit.

T.N. (theo BetaNews)