Vật liệu tự 'thủng' và gắn kết tăng tốc độ chip 30%

IBM vừa phát triển lớp polymer đặc biệt phủ lên miếng silicon, giúp hình thành hàng tỷ lỗ nhỏ có đường kính 20 nanomét khi nhiệt độ tăng. Kết cấu này sẽ cách ly chip và môi trường bên ngoài, khiến dòng điện tử di chuyển thông suốt và nhanh chóng.

Đây là một mặt cắt của vi xử lý mà IBM phát triển. Theo đó, các khoảng trống giữa những dây nối bằng đồng sẽ hoạt động giống như lớp chân không cách ly chip và môi trường bên ngoài, giúp nâng cao tốc độ 30% và giảm điện tiêu thụ xuống 15%. Ảnh: Reuters.

"Khó khăn của nhà sản xuất chip trước đây chính là cách tạo ra thật nhiều lỗ nhỏ trong khu vực cách ly giữa các dây nối", Nathan Brookwood, người điều hành hãng tư vấn công nghệ Insight 64, cho biết. "Thường thì họ chỉ làm được một thứ giống miếng pho mát mà không có sự gắn kết về mặt cơ học nào".

Đối với John Kelly, Phó giám đốc IBM, đây là bước đột phá lớn nhất của họ trong thập kỷ qua. "Big Blue" cho biết họ đã xây dựng nguyên mẫu và sẽ dùng phương pháp này trong sản xuất chip vào năm 2009.

Tháng trước, IBM đã công bố sáng tạo đặt chồng vi xử lý lên nhau để tăng tốc độ của máy tính.

T.H. (theo Reuters)